商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.278nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 发动机管理系统 车身控制电子设备 DC - DC转换器
商品特性
- 额定温度可达+175°C — 适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试 — 确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON) — 最大限度降低导通状态损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 无铅表面处理；符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子设备
- DC - DC转换器
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