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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- AlphaSGT N沟道功率MOSFET
- 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积（品质因数）
- 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
应用领域
- 计算机、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器