商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT15S60、AOB15S60和AOTF15S60采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容储能(EOSS),并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),最小化导通损耗
- 开关速度快
- 无铅表面处理,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该产品符合JEDEC标准(如AEC - Q中引用),具备高可靠性
- 符合汽车标准的产品在单独的数据手册(DMTH10H025LPSQ)中有介绍
应用领域
- 同步整流器-DC-DC转换器-初级侧开关
- AOT2142L
- AOT7N70
- AOTF22N50
- FW-03-04-L-D-410-075
- FW-10-03-G-D-235-150
- AMI-22B-1-1
- FW-03-05-L-D-300-150
- FW-10-03-G-D-240-075
- AMI-22B-1-3
- FW-10-03-G-D-250-120
- FW-04-01-L-D-300-100
- AMI-22B-10-3
- FW-10-03-G-D-260-090
- FW-04-02-F-D-400-150
- AMI-22B-20-3
- FW-10-03-G-D-280-120-P-TR
- FW-04-02-F-D-450-075
- FW-10-03-G-D-300-065-P
- AMI-23-12-3
- FW-10-03-G-D-300-100-A-P
- FW-04-02-G-D-350-155

