商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V,7.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关，确保最终应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON)，最小化导通损耗
- 开关速度快
- 无铅表面处理，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该产品符合JEDEC标准（如AEC - Q中引用），具备高可靠性
- 符合汽车标准的产品在单独的数据手册（DMTH10H025LPSQ）中有介绍
应用领域
- 同步整流器-DC-DC转换器-初级侧开关