商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 126nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
- 沟槽功率中压 MOSFET 技术
- 低导通电阻 RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
- 符合 RoHS 标准且无卤素
应用领域
-DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用