商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
AOT7N70和AOTF7N70采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低RDS(ON)、Ciss和Crss,并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- AOTF22N50
- AOTF25S65
- FW-10-03-G-D-250-120
- FW-04-01-L-D-300-100
- AMI-22B-10-3
- FW-10-03-G-D-260-090
- FW-04-02-F-D-400-150
- AMI-22B-20-3
- FW-10-03-G-D-280-120-P-TR
- FW-04-02-F-D-450-075
- FW-10-03-G-D-300-065-P
- AMI-23-12-3
- FW-10-03-G-D-300-100-A-P
- FW-04-02-G-D-350-155
- FW-10-03-G-D-305-088-A-P
- FW-04-02-L-D-200-065
- FW-10-03-L-D-085-155-P
- AMI-23A-20-6
- FW-10-03-L-D-095-150-P-TR
- FW-04-02-L-D-200-075
- FW-10-03-L-D-158-180

