商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 56.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.42nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 低RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
商品特性
~~- 超高效率-无反向恢复-超低栅极电荷QG-小尺寸封装
应用领域
-DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用