商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 56.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.42nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，可实现极低的导通电阻RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终结果是，该器件既能处理需要极高开关频率和短导通时间的任务，也能应对导通损耗占主导的应用场景。
商品特性
~~- 超高效率-无反向恢复-超低栅极电荷QG-小尺寸封装
应用领域
- 直流-直流转换器-无刷直流电机驱动器-交流/直流和直流-直流同步整流-负载点转换器-USB-C接口-汽车激光雷达/飞行时间测距-D类音频-LED照明-电动出行