AOI1R4A70
1个N沟道 耐压:700V 电流:3.8A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOI1R4A70
- 商品编号
- C6860845
- 商品封装
- TO-251A
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 354pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY7N65F可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO-220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 650 V，漏极电流（ID） = 7 A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 1.4Ω
应用领域
- 开关电源(SMPS)反激式电路
- 充电器、适配器、照明设备