商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AOD5N40和AOI5N40采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低导通电阻RDS(on)、低输入电容Ciss和低反向传输电容Crss,并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-高电流能力-符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 计算机、服务器和负载点（POL）中的DC/DC转换器
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器