- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.297nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT14N50、AOB14N50和AOTF14N50采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低RDS(ON)、C\textiss 和 C\textrss,并具备有保证的雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- AMES50-24SNZ
- FW-09-02-G-D-396-075-ES
- FW-02-03-L-D-225-075
- FW-09-02-L-D-250-075
- AMES50-5S277NZ-P
- FW-09-03-F-D-220-065-ES-A
- FW-02-03-L-D-305-065
- AOCJY-100.000MHZ-E-T
- AMES75-12SNZ
- FW-09-03-F-D-230-120-P
- FW-02-04-F-D-280-090
- AOCJY-100.000MHZ-T
- AMES75-15SNZ-Q
- FW-09-03-G-D-188-156-P-TR
- FW-02-04-F-D-355-355
- AMES75-48S277NZ-P
- FW-09-03-G-D-215-100-A
- FW-02-04-F-D-400-200
- AOCJY-12.800MHZ-E-T
- AMESP100-48S277NZ-Q
- FW-09-03-G-D-230-075-EP-A-TR