商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
AOD6N50采用先进的高压MOSFET工艺制造,旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具备低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低反向传输电容(Crss),并保证有雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用
- AOI1R4A70
- FW-02-05-G-D-295-205
- AMESP150-24S277NZ-P
- FW-09-03-G-D-240-090-A
- FW-09-03-L-D-135-070-P-TR
- AMESP200-12S277NZ
- FW-02-05-L-D-340-120
- FW-09-03-L-D-205-065
- FW-09-03-L-D-270-090-A
- AMESP320-15S277NZ-Q
- FW-02-05-L-D-355-100
- FW-09-03-LM-D-215-135
- FW-02-05-L-D-560-090
- FW-09-04-F-D-230-080
- FW-03-02-F-D-117-140
- FW-09-04-F-D-530-175
- FW-03-02-F-D-250-130
- FW-03-02-F-D-424-075
- FW-09-04-G-D-445-145
- FW-03-03-F-D-185-185
- FW-09-05-F-D-350-065