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IRLMS2002TRPBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLMS2002TRPBF-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.5A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有小型封装和低功耗特性,采用Trench工艺制造。适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。SOT23-6;N—Channel沟道,30V;6A;RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=0.5~1.5V;
商品型号
IRLMS2002TRPBF-VB
商品编号
C6705287
商品封装
TSOP-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.044946克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)1.3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)4.2nC@10V
输入电容(Ciss)424pF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
  • 沟槽功率 MOSFET
  • 低导通电阻
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试
  • 符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用领域

  • 直流-直流(DC/DC)转换器
  • 高速开关

数据手册PDF