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WSD90P06DN56
1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- WSD90P06DN56是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD90P06DN56
- 商品编号
- C719104
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.066nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 291pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
WSD90P06DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD90P06DN56符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 100%保证具有抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 电源管理-负载开关