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WSR80N06实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSR80N06

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A

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描述
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 80 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.488V - Qg(nC)@4.5V 36 QgS(nC) 9.9 Qgd(nC) 6.6 Ciss(pF) 2350 Coss(pF) 237 Crss(pF) 205
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSR80N06
商品编号
C719279
商品封装
TO-220AB-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.62克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))9.1mΩ@10V
耗散功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)45nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.35nF
反向传输电容(Crss)205pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

WSR80N06采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可应用于多种领域。

商品特性

  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用优质封装,散热性能出色
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF