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WSR80N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 80 VGS(th)(v) 3 RDS(ON)(m?)@4.488V - Qg(nC)@4.5V 36 QgS(nC) 9.9 Qgd(nC) 6.6 Ciss(pF) 2350 Coss(pF) 237 Crss(pF) 205
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR80N06
- 商品编号
- C719279
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
-SJ-FET是新一代高压MOSFET系列,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。-这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET适用于各种开关模式操作下的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 多外延工艺SJ-FET
- 650V @TJ = 150℃
- 典型RDS（on）（上划线） = 0.22Ω
- 超低栅极电荷（典型Qg = 28nC）
- 100%雪崩测试