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WSP4067B
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
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- 描述
- WSP4067B是一款高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSP4067B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，且具备完整的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4067B
- 商品编号
- C719115
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF；62pF |
商品概述
WSP4067B是一款高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WSP4067B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供环保型器件
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关