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WSF3036
1个N沟道 耐压:30V 电流:36A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 36 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.357V 25 Qg(nC)@4.5V 7 QgS(nC) 1.3 Qgd(nC) 2.4 Ciss(pF) 530 Coss(pF) 65 Crss(pF) 50
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF3036
- 商品编号
- C719271
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
WsF3036是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WsF3036符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关