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WSF40P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 25 ID(A)Max. -40 VGS(th)(v) -1.6 RDS(ON)(m?)@4.417V 20 Qg(nC)@4.5V 11 QgS(nC) 5 Qgd(nC) 5 Ciss(pF) 1256 Coss(pF) 187 Crss(pF) 115
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF40P03
- 商品编号
- C719272
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.633nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
商品概述
WsF40P03是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WsF40P03符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 台式机DC/DC转换器的电源管理-负载开关