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WSF4022
2个N沟道 耐压:40V 电流:20A
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- 描述
- Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 40 VGS(V) 20 ID(A)Max. 20 VGS(th)(v) 1.6 RDS(ON)(m?)@4.454V 18 Qg(nC)@4.5V 7.5 QgS(nC) 3.24 Qgd(nC) 2.75 Ciss(pF) 815 Coss(pF) 95 Crss(pF) 60
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF4022
- 商品编号
- C719274
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 815pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
WSF4022是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(on)）和栅极电荷特性。 WSF4022符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试保证，具备全面功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 风扇预驱动器H桥电路
- 电机控制
- 同步整流