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WSP6047
1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- WSP6047 是具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP6047 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP6047
- 商品编号
- C719114
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |