WSP6039
1个P沟道 耐压:60V 电流:3.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP6039
- 商品编号
- C719113
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 615pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
WSP6039 是高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP6039 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 100%雪崩能量耐量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板（MB）/笔记本电脑（NB）/超便携个人电脑（UMPC）/显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）背光源逆变器