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ME110N10F
1个N沟道 耐压:100V 电流:140A
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- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME110N10F
- 商品编号
- C709734
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 2.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V,70A | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.14nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 490pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
ME110N10T和ME110N10F是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOST沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 6.2mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力