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ME95N03-G实物图
  • ME95N03-G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ME95N03-G

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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品牌名称
MATSUKI(松木)
商品型号
ME95N03-G
商品编号
C709752
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.63克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)54.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)68nC@4.5V
输入电容(Ciss)6.217nF@15V
反向传输电容(Crss)304pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

ME95N03是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如液晶显示器(LCD)逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的直流-直流转换器电路。

商品特性

  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) ≤ 3.2mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 4.2mΩ
  • 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力

应用领域

  • 电源管理
  • 直流-直流转换器
  • 液晶电视和显示器逆变器
  • 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器
  • 次级同步整流

数据手册PDF