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ME80N75F
1个N沟道 耐压:75V 电流:55.7A
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- 描述
- ME80N75F 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME80N75F
- 商品编号
- C709756
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 43.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.16nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
ME80N75F是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOST沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。
商品特性
- 在Vgs = 10V时，RDS(ON) ≤ 10mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理-DC/DC转换器-负载开关