2SK3148-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N场效应管,采用Trench工艺。适用于高功率电源模块、电机驱动器、电动汽车充电桩等领域。TO220F;N—Channel沟道,100V;50A;RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
2SK3148-VB商品编号
C709587商品封装
TO-220F-3包装方式
管装
商品毛重
2.38克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 3.7W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 90nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.1nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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