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2SJ646-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:12.9A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SJ646-VB
- 商品编号
- C709866
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.443克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@15V |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
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起订量：10 个2500个/圆盘
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