AO4800-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.2A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双路N+N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于中功率功率控制和开关应用,中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8;2个N—Channel沟道,30V;6.8A;RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO4800-VB商品编号
C709891商品封装
SO-8包装方式
编带
商品毛重
0.219克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 6.2A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 22mΩ@10V,5A | |
功率(Pd) | 1.78W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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