AO6604-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款DualN+P型场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6;N+P—Channel沟道,±20V;5.5 /-3.4A;RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±0.5 ~±1.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AO6604-VB商品编号
C709896商品封装
TSOP-6-1.5mm包装方式
编带
商品毛重
0.052克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | 100pF@16V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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