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AO6604-VB

环保标识
  • 1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    台积电流片,长电科技封装;是一款DualN+P型场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6;N+P—Channel沟道,±20V;5.5 /-3.4A;RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±0.5 ~±1.5V;

  • 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
  • 商品型号

    AO6604-VB
  • 商品编号

    C709896
  • 商品封装

    TSOP-6-1.5mm
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.052克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-
功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)100pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-55℃~+150℃

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