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AON2409-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型功率场效应晶体管，采用Trench技术，提高了器件的性能和稳定性，适用于手机、移动设备、消费电子产品、工业自动化和LED照明等领域。QFN6(2X2)；P—Channel沟道,-20V；-10A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AON2409-VB
- 商品编号
- C709907
- 商品封装
- QFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V；40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 热增强型DFN2X2封装
- 小封装面积
- 低导通电阻
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关