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CET4435A-VB
1个P沟道 耐压:35V 电流:6.2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等，为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOT223-3；P—Channel沟道,-35V；-6.2A；RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.6~-1.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CET4435A-VB
- 商品编号
- C709933
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 35V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V；48mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 栅极电阻（Rg）测试
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关、适配器开关-笔记本电脑