FDW2601NZ-VB
2个N沟道 耐压:30V 电流:8.6A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款共源N+N型MOSFET,采用Trench技术,适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、驱动器模块、电动工具控制模块等领域。TSSOP8;2个N—Channel沟道,30V;8.6A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDW2601NZ-VB商品编号
C709972商品封装
TSSOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.099克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V,8.6A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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