IRF7834TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单路N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于多种电子电路模块的设计和应用。例如电源管理模块、电机驱动模块、LED照明控制模块等领域。SOP8;N—Channel沟道,30V;18A;RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF7834TRPBF-VB商品编号
C709995商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.134克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4mΩ@10V,18A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | - | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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