MT4606-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.8A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款双N型和P型沟道功率MOSFET,采用Trench工艺。具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。SOP8;N+P—Channel沟道,±30V;8/-8A;RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=±1~±2V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
MT4606-VB商品编号
C710018商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.137克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 2W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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