温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NDS332P-VB
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 沟槽功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：负载开关。 PA开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NDS332P-VB
- 商品编号
- C710026
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-功率放大器开关-DC/DC 转换器