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C3028LD-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- C3028LD-VB
- 商品编号
- C709927
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动-移动电源