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IRLI530NPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种低功率功率电子应用。TO220F；N—Channel沟道,100V；18A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLI530NPBF-VB
- 商品编号
- C709601
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
OSG65R290xEF采用先进的GreenMOST技术，可实现低漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件适用于有源功率因数校正和开关模式电源应用。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV\textRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度达175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 可提供无铅(Pb)产品
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-照明-硬开关脉宽调制(PWM)-服务器电源-充电器