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IPP032N06N3G-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要中高功率和电流的应用场合。TO220；N—Channel沟道,60V；210A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPP032N06N3G-VB
- 商品编号
- C709595
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 750pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 低热阻封装
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC