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ME7170-G
N沟道，30V（D-S）增强型MOSFET
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- 描述
- 采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，需要低侧开关和非常小外形尺寸表面贴装封装中的低在线功率损耗。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME7170-G
- 商品编号
- C709757
- 商品封装
- DFN-8-EP(6.1x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 56W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 102nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.024nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 445pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ME7170-G 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOST 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理以及其他需要低边开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 在 VGS = 10 V 时，RDS(ON) ≤ 2.6 mΩ
- 在 VGS = 4.5 V 时，RDS(ON) ≤ 3.9 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-笔记本/主板 Vcore 低边开关-便携式设备-电池供电系统-DC/DC 转换器-负载开关