温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ME50N06T
1个N沟道 耐压:60V 电流:53A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME50N06T
- 商品编号
- C709758
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 53A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.27nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
ME50N06T 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOST 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- 在 VGS = 10V 时，RDS(ON) ≤ 22mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理
- DC/DC 转换器
- 负载开关