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ME55N06A-G
N沟道，75 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- ME55N06A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，以及需要极低在线功率损耗的超小外形表面贴装封装应用
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME55N06A-G
- 商品编号
- C709754
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.563nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 194pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ME55N06A是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用。
商品特性
- 在Vgs = 10 V时，RDS(ON) ≤ 9.5 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-DC/DC转换器-负载开关-LCD显示器逆变器