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ME2602
1个N沟道 耐压:100V 电流:4A
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- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME2602
- 商品编号
- C709747
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 905pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) ≤ 100 mΩ
- 在Vgs = 4.5 V时,RDS(ON) ≤ 115 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-DC/DC转换器-负载开关