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ME35N10-G
1个N沟道 耐压:100V 电流:28.1A
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- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME35N10-G
- 商品编号
- C709749
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.62克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 233pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
ME35N10是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOST沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用。
商品特性
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) ≤ 22mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 26mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 负载开关
- LCD/LED显示器逆变器