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ME9435A
1个P沟道 耐压:30V 电流:6.3A
- 描述
- ME9435A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且在极小外形的表面贴装封装中可实现更低的功率损耗
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME9435A
- 商品编号
- C709739
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@10V,5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
ME9435A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中实现低功耗。
商品特性
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) ≤ 40mΩ
- 在Vgs = -4.5V时，RDS(ON) ≤ 60mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器