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ME2326A
1个N沟道 耐压:250V 电流:400mA
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- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME2326A
- 商品编号
- C709745
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ME2326A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- 在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) ≤ 5.5 Ω
- 在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) ≤ 5.5 Ω
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- DC/DC 转换器
- 负载开关
- LCD 显示器逆变器