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ME8107-G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ME8107-G

1个P沟道 耐压:35V 电流:14A

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品牌名称
MATSUKI(松木)
商品型号
ME8107-G
商品编号
C709741
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)35V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V,7A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)58nC@4.5V
输入电容(Ciss)5.33nF
反向传输电容(Crss)242pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

ME8107-G 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度 DMOST 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如手机和笔记本电脑电源管理,以及其他需要在极小外形尺寸表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。

商品特性

  • RDS(ON)≤7.2mΩ@VGS~~- 10V
  • RDS(ON)≤12mΩ@VGS~~- 4.5V
  • 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
  • 出色的导通电阻和最大直流电流能力

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC 转换器-负载开关-LCD 显示器逆变器

数据手册PDF