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ME8205E-G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@15V |
商品概述
双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关且线路功率损耗低的电池供电电路。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) ≤ 22mΩ
- 在VGS = 4.0V时，RDS(ON) ≤ 23mΩ
- 在VGS = 3.0V时，RDS(ON) ≤ 26mΩ
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) ≤ 29mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器