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SIHP38N60E-GE3实物图
  • SIHP38N60E-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHP38N60E-GE3

1个N沟道 耐压:600V 电流:43A

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品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHP38N60E-GE3
商品编号
C6228128
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))65mΩ@10V,19A
属性参数值
耗散功率(Pd)313W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)183nC@10V
输入电容(Ciss)3.6nF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
  • 降低trr、Qrr和IRRM
  • 低品质因数(FOM)Ron × Qg
  • 低输入电容(Ciss)
  • 因Qrr降低而具有低开关损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定(UIS)

应用领域

  • 电信领域
    • 服务器和电信电源
    • 照明
    • 高强度气体放电灯(HID)
    • 荧光灯镇流器照明
  • 消费和计算机领域
    • ATX电源
  • 工业领域
    • 焊接
    • 电池充电器
    • 可再生能源
    • 太阳能(光伏逆变器)
    • 开关模式电源(SMPS)
    • 采用以下拓扑的应用
      • LCC
      • 移相桥(ZVS)
      • 三电平逆变器
      • AC/DC桥

数据手册PDF