SIHS20N50C-E3
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHS20N50C-E3
- 商品编号
- C6228135
- 商品封装
- TO-274AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.942nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低品质因数 Ron × Qg
- 100%雪崩测试
- 高峰值电流能力
- dv/dt鲁棒性
- 改善的trr / Qrr
- 改善的栅极电荷
- 高功率耗散能力
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)
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