温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SISS72DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:150V 电流:7A 电流:25.5A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS72DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6228313
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.5A；7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.1W；65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 采用ThunderFET技术的TrenchFET优化了导通状态下漏源电阻（RDS(on)）、栅极电荷（Qg）、开关电荷（Qsw）和输出电容电荷（Qoss）之间的平衡
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 初级侧开关
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 电机驱动控制
- 负载开关