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SQJQ144AER-T1_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:575A
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- 描述
- 特性：N沟道MOSFET。 封装：PowerPAK 8 x 8LR。 无铅无卤
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJQ144AER-T1_GE3
- 商品编号
- C6230440
- 商品封装
- PowerPAK8x8LR
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 575A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.29nF |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试
- 1.6 mm超薄封装
- 极低热阻
- 符合RoHS标准
- 无卤
- SQM200N04-1M8_GE3
- SQM50N04-4M0L_GE3
- SQS160ELNW-T1_GE3
- MS27467T15F19SD-LC
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- MS27467T17B35BC
- MS27467T17B55B
- MS27467T17B55BB
- SQT-102-03-G-D
- SQT-102-03-G-S