SQS160ELNW-T1_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:141A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQS160ELNW-T1_GE3
- 商品编号
- C6230450
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 141A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 197W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.866nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 可焊侧翼端子
- 0.75mm厚度,低热阻
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 高功率密度DC/DC转换器
- 或门（OR-ing）
- 负载开关
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