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SI7469ADP-T1-RE3
P沟道，80 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的RDS(on)，可将电压降降至最低并降低传导损耗。 无需电荷泵。 100%进行Rg和UIS测试。应用：适配器和充电器开关。 电池和电路保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7469ADP-T1-RE3
- 商品编号
- C6228353
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.443333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.42nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |